[发明专利]聚酰亚胺薄膜的自我组装制造过程无效
| 申请号： | 200510103527.8 | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1935629A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 洪银树;黄义佑;王智弘 | 申请（专利权）人： | 建凖电机工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 台湾省高雄市苓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚酰亚胺薄膜的自我组装制造过程，其包含以下步骤：步骤一，在一硅基质上沉积一低应力牺牲层，再在低应力牺牲层上沉积一主结构层；步骤二，将主结构层定义蚀刻出微结构形状；步骤三，在主结构层的微结构形状上涂布聚酰亚胺薄膜；步骤四，将聚酰亚胺薄膜定义蚀刻出挠性接点形状；步骤五，进行湿式蚀刻法，将低应力牺牲层的预定部份蚀刻释放；步骤六，进行回焊作业过程，使挠性接点受热收缩，并将预定部份的主结构层旋转抬升。本发明可彻底解决锡铅合金球或光阻作为可挠性接点所衍生的诸多缺点，并可广泛应用于多种微型化产业的自我组装。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 薄膜 自我 组装 制造 过程 | ||
【主权项】：
1、一种聚酰亚胺薄膜的自我组装制造过程，其特征在于包含以下步骤：步骤一：在一硅基质上沉积一低应力牺牲层，再在所述低应力牺牲层上沉积一主结构层；步骤二：将所述主结构层定义蚀刻出微结构形状；步骤三：在所述主结构层的微结构形状上涂布聚酰亚胺薄膜；步骤四：将所述聚酰亚胺薄膜定义蚀刻出挠性接点形状；步骤五：进行湿式蚀刻法，将所述低应力牺牲层的预定部份蚀刻释放；步骤六：进行回焊作业过程，使所述挠性接点受热收缩，并将预定部份的所述主结构层旋转抬升。
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