[发明专利]绝缘栅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510103685.3 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1812121A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 大月正人 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的槽MOSFET包括：槽之间的台面区，该台面区与发射电极相连以固定台面区电位使得台面区不会引起任何浮动结构；分布在台面区内的p型基极区；和设有发射极结构的分布的p型基极区(台面区内的限定区域)。根据本发明的槽MOSFET有利于在将槽IGBT的导通状态压降抑制得和IEGT的导通状态压降一样低的同时降低开关损耗，减少总损耗，并提高其导通属性。根据本发明的槽MOSFET还有利于减少栅极与其发射极之间的电容，因为减少了栅电极面向发射极结构的区域。以有点窄的间隔设置槽栅极结构的根据本发明的槽MOSFET有利于缓解在槽的底部的电场局部化并获得高击穿电压。根据本发明的槽MOSFET使槽之间的台面区宽度变窄使得可以通过施加约几伏的电压容易地耗尽延伸到槽之间的台面区中的n型层的延伸部分。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上的第二导电类型的第二半导体层；在所述第二半导体层上的表面部分中形成的条形槽；在槽之间的第一导电类型的第三半导体区，所述第三半导体区在槽的纵向上选择性地形成；选择性地在所述第三半导体区的一个或多个表面部分中形成的第二导电类型的一个或多个第四半导体区；在所述槽中栅电极，在所述栅电极和所述槽之间插入了一层绝缘薄膜；与所述第三半导体区和所述第四半导体区接触的发射电极；和与所述第一半导体层接触的集电极。
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