[发明专利]制程处理室中阴极的射频接地有效
申请号: | 200510103695.7 | 申请日: | 2005-09-09 |
公开(公告)号: | CN1752281A | 公开(公告)日: | 2006-03-29 |
发明(设计)人: | 约翰·M·怀特;罗宾·L·蒂纳;朴范洙;温德尔·T·布伦尼格 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/458 |
代理公司: | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼仙英 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用以在一制程处理室壁以及一基材支撑件间提供一短RF电流返回电流路径的设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材传送埠之上,其仅在基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性接触,以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备的一实施例至少包含一或多个低阻抗可弯曲幕状物,其可电性连接至接地处理室壁,并接至一或多个低阻抗档体,其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个低阻抗可弯曲条体,其可电性连接至接地处理室壁,并接至一或多个低阻抗档体,其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个探针,其可电性连接至接地处理室壁或由其它装置作接地,以及数个附有探针的致动器。该等致动器可移动探针以在基材制程期间电性接触基材支撑件。 | ||
搜索关键词: | 处理 阴极 射频 接地 | ||
【主权项】:
1.一种用以在一制程处理室壁及一由制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的设备,其特征在于,至少包含:一制程处理室壁,其具有一基材传送埠;一基材支撑件,由制程处理室壁封围,且适于移动于一制程位置及一非制程位置之间;以及一RF接地组件,安装至制程处理室壁,该RF接地组件位于基材传送埠之上,且在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的