[发明专利]二氧化硅系被膜形成用涂布液无效

专利信息
申请号: 200510103745.1 申请日: 2005-09-09
公开(公告)号: CN1763140A 公开(公告)日: 2006-04-26
发明(设计)人: 饭田启之;佐藤功;高滨昌 申请(专利权)人: 东京应化工业株式会社
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;H01L21/312
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种二氧化硅系被膜形成用涂布液,含有(A)使烷基三烷氧基硅烷发生水解反应而得到的反应产物或者(A’)使由烷基三烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的硅烷化合物发生水解反应而得到的反应产物、和(B)选自聚亚烷基二醇及其末端烷基化物的一种以上。本发明提供了可以形成介电常数低而且不易发生由剥离液造成的膜减少和介电常数的上升的二氧化硅系被膜的二氧化硅系被膜形成用涂布液。
搜索关键词: 二氧化硅 系被膜 形成 用涂布液
【主权项】:
1.一种二氧化硅系被膜形成用涂布液,其特征在于,含有(A)使烷基三烷氧基硅烷发生水解反应而得到的反应产物、和(B)选自聚亚烷基二醇及其末端烷基化物的一种以上。
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