[发明专利]无应力抛光的方法和系统有效
| 申请号： | 200510103822.3 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1767155A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | A·D·拜利三世;S·P·罗霍卡尔;Y·金;S·麦克拉基 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;赵苏林 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种清洗基片的方法包括接收一个基片并且在基片上表面应用无应力清洁工序。基片包括基本不含有与器件有关的平面化不均匀处和与器件无关的平面化不均匀处的上表面。此上表面也包括第一材料和形成于第一材料中的器件结构，器件结构由第二材料形成。器件结构有暴露的器件表面。器件表面具有第一表面粗糙度。也描述了无应力清洁基片的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 抛光 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种清洗基片的方法，包括：接收一个具有上表面的基片，上表面基本不含有与器件有关的平面化不均匀处和与器件无关的平面化不均匀处，上表面包括：第一材料；和形成于第一材料中的器件结构，此器件结构具有暴露的器件表面，器件表面具有第一表面粗糙度，器件结构由第二材料形成；以及对上表面进行清洁工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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