[发明专利]互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 200510103846.9 | 申请日： | 2005-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1933168A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杨进盛 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯;李晓舒 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种整合单晶体管静态随机存取存储器的互补式金属氧化物半导体图像传感器，包括一衬底，该衬底具有一像素阵列、一逻辑电路、以及多个单晶体管静态随机存取存储器(1T－SRAM)，且该素阵列、该逻辑电路、以及该些1T－SRAM是由多个浅沟隔离所隔离。且该1T－SRAM是于各元件的逻辑工艺中仅增加一光掩模即可整合于该互补式金属氧化物半导体图像传感器内。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种整合单晶体管静态随机存取存储器的互补式金属氧化物半导体图像传感器，包括：一衬底，该衬底定义有一像素阵列区、一逻辑电路区、以及一存储器区；一像素阵列，设于该像素阵列区；一逻辑电路，设于该逻辑电路区；以及多个单晶体管静态随机存取存储器，设于该存储器区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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