[发明专利]光致抗蚀剂剥离方法无效
| 申请号： | 200510103862.8 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1932652A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴至宁;戴炘;江怡颖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F1/08;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光致抗蚀剂剥离方法，首先形成第一介电层，且第一介电层中包括多个接触结构。接着，在第一介电层上形成阻障层。然后，在阻障层形成一第二介电层。之后，在第二介电层上形成图案化的光致抗蚀剂层。接下来，以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，图案化第二介电层与阻障层，以暴露出接触结构的一部分。并且使用还原气体移除图案化的光致抗蚀剂层，此还原气体例如是不含氧的气体。由于还原气体不含氧，可减少接触结构表面氧化物的产生，以降低接触结构的阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光致抗蚀剂剥离方法，包括：形成一第一介电层，该第一介电层中已形成有多个接触结构；在该第一介电层上形成一阻障层；在该阻障层形成一第二介电层；在该第二介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层；以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模，图案化该第二介电层与该阻障层，以暴露出该些接触结构的一部分；以及使用一还原气体移除该图案化的光致抗蚀剂层，且该还原气体包括一不含氧的气体。
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