[发明专利]间隙壁的制造方法及其蚀刻后的清洗方法与半导体元件有效
| 申请号： | 200510103863.2 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1933111A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王传凯;陈薏新;刘家瑞;陈瓀懿;林明邑 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3105;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种间隙壁的制造方法，此制造方法为，提供已形成有元件结构的基底，而元件结构包括栅极结构以及源极/漏极区。然后，于基底上方形成间隙壁材料层，以覆盖基底与元件结构。接着，进行一蚀刻工艺，移除部分间隙壁材料层，以于栅极结构侧壁形成间隙壁。之后，进行一等离子体处理步骤，于基底、间隙壁与元件结构表面形成间隙壁保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 制造 方法 及其 蚀刻 清洗 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种间隙壁的制造方法，包括：提供已形成有一元件结构的一基底，该元件结构包括一栅极结构以及一源极/漏极区；于该基底上方形成一间隙壁材料层，覆盖该基底与该元件结构；进行一蚀刻工艺，移除部分该间隙壁材料层，以于该栅极结构侧壁形成一间隙壁；以及进行一等离子体处理步骤，以于该基底、该间隙壁与该元件结构表面形成一间隙壁保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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