[发明专利]双重金属镶嵌结构及其制造方法有效
申请号: | 200510103865.1 | 申请日: | 2005-09-16 |
公开(公告)号: | CN1933123A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 黄俊仁;翁正明;林苗均 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种双重金属镶嵌结构,此双重金属镶嵌结构包括基底、介电层、硬掩模层、接触窗与导线。介电层位于基底上,硬掩模层位于介电层上。接触窗位于介电层中,且接触窗的水平截面具有不对称的圆化轮廓。导线位于硬掩模层与介电层中,且位于接触窗上并与其电连接,且导线具有一侧向隆起,其位于接触窗边缘上。 | ||
搜索关键词: | 双重 金属 镶嵌 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括:于一基底上依序形成一介电层与一硬掩模层;于该硬掩模层中形成一沟槽图案;于该基底上方形成一图案化的光致抗蚀剂层,且该图案化的光致抗蚀利层具有一接触窗开口图案,该接触窗开口图案中暴露出部分的该硬掩模层;进行一削角步骤,移除该接触窗开口图案中所暴露出的部分该硬掩模层;以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模,移除部分该介电层,以于该介电层中形成一开口;移除该图案化的光致抗蚀剂层;以该硬掩模层为掩模,移除部分该介电层至暴露出该基底表面,以形成一接触窗开口,且同时于该接触窗开口上形成一沟槽;以及于该沟槽与该接触窗开口中形成一导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造