[发明专利]双重金属镶嵌结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510103865.1 申请日: 2005-09-16
公开(公告)号: CN1933123A 公开(公告)日: 2007-03-21
发明(设计)人: 黄俊仁;翁正明;林苗均 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/52
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种双重金属镶嵌结构,此双重金属镶嵌结构包括基底、介电层、硬掩模层、接触窗与导线。介电层位于基底上,硬掩模层位于介电层上。接触窗位于介电层中,且接触窗的水平截面具有不对称的圆化轮廓。导线位于硬掩模层与介电层中,且位于接触窗上并与其电连接,且导线具有一侧向隆起,其位于接触窗边缘上。
搜索关键词: 双重 金属 镶嵌 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括:于一基底上依序形成一介电层与一硬掩模层;于该硬掩模层中形成一沟槽图案;于该基底上方形成一图案化的光致抗蚀剂层,且该图案化的光致抗蚀利层具有一接触窗开口图案,该接触窗开口图案中暴露出部分的该硬掩模层;进行一削角步骤,移除该接触窗开口图案中所暴露出的部分该硬掩模层;以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模,移除部分该介电层,以于该介电层中形成一开口;移除该图案化的光致抗蚀剂层;以该硬掩模层为掩模,移除部分该介电层至暴露出该基底表面,以形成一接触窗开口,且同时于该接触窗开口上形成一沟槽;以及于该沟槽与该接触窗开口中形成一导体层。
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