[发明专利]堆栈式对准标记与光刻工艺对准方法无效
| 申请号： | 200510103920.7 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1932653A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 贾伟圣;陈志荣;陈重安;黄志忠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种堆栈式对准标记，其包括第一对准标记与第二对准标记。第一对准标记是配置于第一膜层中，其是由多个导线所构成，而第二对准标记是配置于第二膜层中，且第二膜层位于第一膜层下。其中，第一对准标记与第二对准标记形成于相对应的区域内，且第二对准标记至少包括对应于相邻二导线间隙的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 对准 标记 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种堆栈式对准标记，包括：一第一对准标记，配置于一第一膜层中，该第一对准标记是由多个第一导线所构成；以及一第二对准标记，配置于该第一膜层下方的一第二膜层中，其中该第一对准标记与该第二对准标记形成于相对应的区域内，且该第二对准标记至少包括对应于相邻二第一导线间隙的区域。
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