[发明专利]防止晶边区膜层剥落的半导体制造方法与内连线制作方法

摘要

一种防止晶边区膜层剥落的半导体制造方法，首先，于基底的正面上形成一层介电层。然后，形成一层光致抗蚀剂层，此光致抗蚀剂层覆盖基底的正面与部分背面。之后，仅对基底的背面进行洗边步骤，以去除基底的背面上的光致抗蚀剂层，而保留位于晶边区的光致抗蚀剂层。

主权项

1、一种防止晶边区膜层剥落的半导体制造方法，包括：提供一基底，该基底具有一正面与一背面，其中该正面包括该基底的一上表面与该基底的一侧边上半部，而该背面包括该基底的一下表面与该基底的一侧边下半部，且该上表面具有一晶边区与一中心区，该晶边区环绕该上表面外缘；于该基底的该正面上形成一介电层；形成一光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层覆盖该基底的该正面、该侧边下半部与部分该下表面；以及仅对该基底的该背面进行一洗边步骤，以去除该基底的该背面上的该光致抗蚀剂层，保留位于该晶边区的该光致抗蚀剂层。