[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510103956.5 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1881586A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 森年史;大越克明;渡边崇史;大田裕之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/76 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;郑特强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其具有形成于硅衬底上用以限定器件区的STI结构的器件隔离区，其中该器件隔离区包含形成于该硅衬底中的器件隔离槽，以及填充该器件隔离槽的器件隔离绝缘膜。至少该器件隔离绝缘膜的表面部分由抗HF膜形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其具有形成于硅衬底上用以限定器件区的STI结构的器件隔离区，所述器件隔离区包含：器件隔离槽，其形成于所述硅衬底中；以及器件隔离绝缘膜，其填充所述器件隔离槽，至少所述器件隔离绝缘膜的表面部分由抗HF膜形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
