[发明专利]包括高K－介质材料的半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 200510104111.8 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1767205A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 尹宣弼;李彰原;孙雄喜;崔吉铉;柳宗烈;林东灿;朴在花;李柄学;朴嬉淑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/788;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括，半导体衬底上的第一导电层，第一导电层上的包括高K－介质材料的介质层，介质层上的包括掺有P型杂质的多晶硅的第二导电层，以及第二导电层上的包括金属的第三导电层。在某些器件中，在主单元区中形成第一栅极结构，第一栅极结构包括隧道氧化物层、浮栅、第一高K－介质层和控制栅。控制栅包括掺有P型杂质的多晶硅层和金属层。在主单元区外面形成第二栅极结构，第二栅极结构包括隧道氧化物层、导电层和金属层。在外围单元区中形成第三栅极结构，第三栅极结构包括隧道氧化物、导电层和具有比导电层更窄宽度的高K－介质层。也公开了方法实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 介质 材料 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底上的第一导电层；第一导电层上包括高K-介质材料的介质层；介质层上包括掺有P型杂质的多晶硅的第二导电层；以及第二导电层上包括金属的第三导电层。
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