[发明专利]集成电路结构有效
申请号: | 200510104805.1 | 申请日: | 2005-09-21 |
公开(公告)号: | CN1858909A | 公开(公告)日: | 2006-11-08 |
发明(设计)人: | 陈宪伟;陈学忠 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种集成电路结构,用以防止集成电路中的耦合噪声,包括:耦接于接地信号的封环包括多个金属线,每一金属线分别对应每一金属层且环绕其晶片的电路区;电性连接各金属线的多个穿孔;以及隔绝各金属层于其他金属层之外的多个介电层。封环可能额外包括由封环内部或外部所形成的封环。半导体结构可能包括激光熔丝及保护环。保护环以耦接于接地信号为佳。通过在子电路间形成封环延伸物可降低在晶片中介于子电路间的串音。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 结构 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路结构,形成于一半导体晶片中,所述集成电路结构包括:一封环,耦接于一信号接地,包括:多个金属线,其中每一金属线分属个别的一金属层,且环绕上述半导体晶片的一电路区;多个穿孔,耦接于一相邻上层或相邻下层的每一金属线;以及多个介电层,分别将各金属层与相邻下层或相邻上层的金属层隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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