[发明专利]用于处理薄膜的装置和薄膜的处理方法有效
申请号: | 200510104886.5 | 申请日: | 2005-09-23 |
公开(公告)号: | CN1752279A | 公开(公告)日: | 2006-03-29 |
发明(设计)人: | 李钟哲;李制燮;朴祥爀 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社;LG电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种用于基板处理的装置,包括适于容纳基板的工作台;与所述基板相对并具有保持空间的气体护罩,所述气体护罩包括:顶层板;底层板,与所述基板相对并具有多个环绕所述保持空间的泵孔;以及中层板,位于所述顶层板和所述底层板之间并具有连通到所述保持空间的第一气体通道和连通到所述多个泵孔的第二气体通道;能量源,与所述顶层板相对使得从其中发出的光通过所述保持空间照射到基板的一部分;反应气提供装置,连接到所述第一气体通道;以及压力调节装置,连接到所述第二气体通道。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于处理基板上的薄膜的装置,包括:工作台,适于容纳所述基板;气体护罩,与所述基板相对并具有保持空间,所述气体护罩包括:顶层板;底层板,与所述基板相对并具有位于所述保持空间周围的多个泵孔;以及中层板,位于所述顶层板和所述底层板之间并具有与所述保持空间连通的第一气体通道和与所述多个泵孔连通的第二气体通道;能量源,面对所述上层板使得从其中发出的光通过所述保持空间照射到基板的一部分;反应气提供装置,连接到所述第一气体通道;以及压力调节装置,连接到所述第二气体通道。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的