[发明专利]磁记录介质及其制造方法、以及用于磁记录介质的中间体无效

专利信息
申请号: 200510104938.9 申请日: 2005-09-22
公开(公告)号: CN1783229A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 高井充;服部一博;诹访孝裕;大川秀一 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G11B5/82 分类号: G11B5/82;G11B5/62;G11B5/84
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种磁记录介质,在该磁记录介质中,以预定凹凸图案将磁记录层5设置在基片1A上,并用非磁性材料填充凹凸图案中的凹部分,在凹凸图案的凸部分上形成非磁性层16,所述非磁性层16由非磁性材料中的位于凹部分底面的非磁性材料形成,同时,使凸部分和凹部分的表面基本平坦化,并且所述非磁性层16的厚度等于或小于1nm。
搜索关键词: 记录 介质 及其 制造 方法 以及 用于 中间体
【主权项】:
1.一种磁记录介质,包括:基片;以预定凹凸图案形成在所述基片上的磁记录层;填充在所述凹凸图案的凹部分中的非磁性材料;由位于凹部分底面的所述非磁性材料形成的非磁性层,其形成在所述凹凸图案的凸部分上,同时,使凸部分和凹部分的表面基本平坦化,其中,所述非磁性层的厚度为小于或等于1nm。
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