[发明专利]磁记录介质及其制造方法、以及用于磁记录介质的中间体无效
| 申请号： | 200510104938.9 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1783229A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 高井充;服部一博;诹访孝裕;大川秀一 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/82 | 分类号： | G11B5/82;G11B5/62;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种磁记录介质，在该磁记录介质中，以预定凹凸图案将磁记录层5设置在基片1A上，并用非磁性材料填充凹凸图案中的凹部分，在凹凸图案的凸部分上形成非磁性层16，所述非磁性层16由非磁性材料中的位于凹部分底面的非磁性材料形成，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化，并且所述非磁性层16的厚度等于或小于1nm。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 以及 用于 中间体 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：基片；以预定凹凸图案形成在所述基片上的磁记录层；填充在所述凹凸图案的凹部分中的非磁性材料；由位于凹部分底面的所述非磁性材料形成的非磁性层，其形成在所述凹凸图案的凸部分上，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化，其中，所述非磁性层的厚度为小于或等于1nm。
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