[发明专利]具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物有效
| 申请号： | 200510105083.1 | 申请日： | 2005-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1767148A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 伊夫－马蒂厄·拉瓦伊兰特 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物。该制造方法包括：提供包含支撑基片并且在顶部具有应变硅模型层的原型晶片；在应变硅模型层上外延生长松弛的辅助SiGe层；在松弛的辅助SiGe层上外延生长应变硅应用层；和在辅助SiGe层中形成的预定剥离区处剥离该结构体。该中间产物包括：包含支撑基片和应变硅模型层的原型晶片；位于应变硅模型层上的松弛的辅助SiGe层，其中在该松弛的辅助SiGe层中形成预定的剥离区；和位于该辅助SiGe层上的应变硅应用层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应变 晶片 结构 制造 方法 中间 产物 | ||
【主权项】：
1.具有应变硅层的晶片结构体的制造方法，该方法包括：提供包含支撑基片(1)和位于顶部的应变硅模型层(3)的原型晶片(4，6)；在所述应变硅模型层(3)上外延生长松弛的辅助SiGe层(8)；在所述辅助SiGe层(8)上外延生长应变硅应用层(11)；和在所述辅助SiGe层(8)中形成的预定剥离区(9)处剥离所述结构体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
