[发明专利]用于铜互连的可制造CoWP金属帽盖方法有效
| 申请号： | 200510105104.X | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1794441A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | D·D·雷斯塔伊诺;D·F·卡纳佩里;J·M·鲁比诺;S·P·E·史密斯;R·O·亨利;J·弗吕格尔;M·克里希南 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288;C23C18/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种采用对可制造方法有效的可重复的方式，在铜上无电镀敷CoWP合金的方法。在该方法中，通过醋酸钯、醋酸和氯化物的引晶水溶液在所述铜上沉积钯(Pd)籽晶层。随后，施加络合溶液以去除在除了所述铜的表面上吸附的任何Pd离子。最后，将钴(Co)、钨(W)和磷(P)的镀液施加于所述铜上，以在所述Pd籽晶和铜上沉积一层CoWP。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 制造 cowp 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在包括在衬底内或衬底上的铜上进行无电镀敷的方法，包括以下步骤：将醋酸钯、醋酸和氯化物的引晶水溶液施加于所述衬底，以仅在所述铜上而不在所述衬底的剩余部分上形成钯籽晶层；将络合溶液施加于所述衬底，以去除在所述衬底上吸附的钯离子；以及用包括钴、钨和磷的镀液无电镀敷所述铜，以在所述钯籽晶上沉积一层钴、钨和磷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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