[发明专利]有机电致发光显示器及其薄膜晶体管阵列基板的制造方法有效
申请号: | 200510105230.5 | 申请日: | 2005-09-27 |
公开(公告)号: | CN1941384A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 张锡明 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H05B33/10;H05B33/12 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,此方法是在覆盖于薄膜晶体管上的保护层中形成多个接触孔与多个凹槽。各凹槽具有底切轮廓,而各接触孔是暴露出其所对应的薄膜晶体管的漏极金属层。然后,在保护层上形成透明导电层,此透明导电层是填入这些接触孔而与漏极金属层电连接。而且,透明导电层在这些凹槽处自动分离而形成多个像素电极。由此可知,此方法无须利用光刻及蚀刻工艺即可形成多个像素电极,因此可以节省工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示器 及其 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征是包括:提供基板,该基板上具有多个像素区域,且该基板上已形成有保护层与多个薄膜晶体管,其中该保护层是覆盖于上述这些薄膜晶体管上,而各该薄膜晶体管包括源极金属层与漏极金属层;于该保护层中形成多个接触孔以及多个凹槽,其中各该凹槽具有底切轮廓,且上述这些凹槽是位于上述这些像素区域之间,而各该接触孔是暴露出对应的上述这些薄膜晶体管其中之一的该漏极金属层;以及于该保护层上形成透明导电层,其中该透明导电层是填入上述这些接触孔而与上述这些薄膜晶体管的上述这些漏极金属层电连接,且该透明导电层在上述这些凹槽处自动分离,而形成多个像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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