[发明专利]n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法

摘要

一种n⁺/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n⁺/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。

主权项

1、一种n+/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n+/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；步骤3：在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；步骤4：在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；步骤5：在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；步骤6：腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。