[发明专利]具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池

摘要

一种具有布拉格反射器的n⁺/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓冲层上；一基区，该基区制作在布拉格反射器上；一发射区，该发射区制作在基区上；一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层，该高折射率层制作在发射区上；一复合减反射膜的低折射率层，该低折射率层制作在窗口层上；该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层，极大地降低了光的减反射效果；一帽子层，该帽子层制作在减反射膜层上，为高掺杂n型砷化镓材料。

主权项

1.一种具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓冲层上；一基区，该基区制作在布拉格反射器上；一发射区，该发射区制作在基区上；一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层，该高折射率层制作在发射区上；一复合减反射膜的低折射率层，该低折射率层制作在窗口层上；该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层，极大地降低了光的减反射效果；一帽子层，该帽子层制作在减反射膜层上，为高掺杂n型砷化镓材料。