[发明专利]光生伏打装置有效
| 申请号： | 200510105632.5 | 申请日： | 2005-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1755949A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 寺川朗 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层。利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 光生伏打 装置 | ||
【主权项】：
1、一种光生伏打装置，其特征在于，具有：晶体系列半导体基板；设置在该晶体系列基板上的含有氢的实质本征非晶体系列半导体薄膜层；设置在该本征非晶体系列半导体薄膜上的含有氢的进行了价电子控制的非晶体系列半导体薄膜层；和设置在所述进行了价电子控制的非晶体系列半导体薄膜层和所述本征非晶体系列半导体薄膜层之间，抑制氢从所述本征非晶体系列半导体薄膜层向所述进行了价电子控制的非晶体系列半导体薄膜层扩散的氢扩散抑制区域。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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