[发明专利]原子束产生装置及其方法有效

专利信息
申请号: 200510105757.8 申请日: 2005-09-27
公开(公告)号: CN1758827A 公开(公告)日: 2006-04-12
发明(设计)人: 丁进国 申请(专利权)人: 广辉电子股份有限公司
主分类号: H05H3/02 分类号: H05H3/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种原子束产生装置及其方法,所述装置包括一离子化腔室、一离子束引导器、一电性中和腔室与一电压调整装置。其中,离子化腔室用以产生一离子束,而离子束引导器适于由离子化腔室引出离子束。所述电性中和腔室与电压调整装置配置于离子束的行径上,且离子束引导器位于电性中和腔室与离子化腔室之间,而电压调整装置是位于离子束引导器与电性中和腔室之间。此外,电压调整装置能降低离子束的能量,且离子束通过电性中和腔室之后会被中和成一中性原子束。本发明的原子束产生装置能有效地产生中性原子束。
搜索关键词: 原子 产生 装置 及其 方法
【主权项】:
1.一种原子束产生装置,其特征在于包括:一离子化腔室,用以产生一离子束;一离子束引导器,适于由所述离子化腔室引出离子束;一电性中和腔室,配置于所述离子束的行径上,且所述离子束引导器位于所述电性中和腔室与所述离子化腔室之间,其中所述离子束通过所述电性中和腔室之后会被中和成一中性原子束;以及一电压调整装置,配置于所述离子束的行径上,且所述电压调整装置是位于所述离子束引导器与所述电性中和腔室之间。
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