[发明专利]磁阻结构、磁阻元件、与存储单元有效
| 申请号： | 200510105996.3 | 申请日： | 2005-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1783335A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 林俊杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻结构、磁阻元件、与存储单元，具体涉及一种非平面的磁阻结构，包括一个以上的弯曲部分，介于第一部分与第二部分之间，其中第一部分稍微与基底呈垂直，而第二部分稍微与基底呈水平。上述结构可用于存储元件，如：MRAM存储元件，在不减少表面积的情况下，与先前平面磁阻结构相比，其存储密度增加。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 结构 元件 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻结构，所述磁阻结构包括：一第一铁磁层；一第二铁磁层；一间隔层，介于上述第一铁磁层与上述第二铁磁层之间；以及一弯曲部分，位于上述第一铁磁层、间隔层、与第二铁磁层。
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