[发明专利]半导体器件及其制造方法和电器有效

专利信息
申请号: 200510106309.X 申请日: 2005-09-23
公开(公告)号: CN1753166A 公开(公告)日: 2006-03-29
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/60;H01L27/02;H01L23/488;G06K19/07
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种具有多种功能的半导体器件及其制造方法。此半导体器件包含薄膜集成电路、具有传感器或天线的第一衬底、以及具有天线的第二衬底,其中,薄膜集成电路被插入在具有传感器或天线的第一衬底与具有天线的第二衬底之间。在该半导体器件具有多个天线且该半导体器件在不同频带内通信的情况下,此半导体器件能够接收多个频带,从而扩展了读出器/写入器的选择范围。在该半导体器件具有传感器和天线的情况下,传感器所探测到的信息能够被转化成信号,且这些信号能够经由天线被输出到读出器/写入器。因此,与诸如无线芯片的常规半导体器件相比,该半导体器件具有更高价值。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法 电器
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包含下列步骤:在第一衬底上选择性地形成释放层;在第一衬底上形成第一绝缘层,且释放层插入在其间;在第一绝缘层上形成多个薄膜晶体管;在第一绝缘层上形成第二绝缘层;在第一绝缘层和第二绝缘层中形成第一开口部分,以使第一衬底的一部分被暴露;在第二绝缘层中形成第二开口部分,以使该多个薄膜晶体管的至少源区和漏区之一被暴露;形成用来填充第一开口部分的第一导电层和用来填充第二开口部分的第二导电层;在第一绝缘层和第二绝缘层中形成第三开口部分,以暴露释放层的一部分;借助于将腐蚀剂引入到第三开口部分中而清除释放层;将该多个薄膜晶体管固定到第二衬底,从而使第二导电层被连接到提供在第二衬底上的第三导电层;从第一衬底分离该多个薄膜晶体管;以及将该多个薄膜晶体管固定到第三衬底,从而使第一导电层被连接到提供在第三衬底上的第四导电层。
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