[发明专利]半导体器件及其制造方法和电器有效
申请号: | 200510106309.X | 申请日: | 2005-09-23 |
公开(公告)号: | CN1753166A | 公开(公告)日: | 2006-03-29 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/60;H01L27/02;H01L23/488;G06K19/07 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种具有多种功能的半导体器件及其制造方法。此半导体器件包含薄膜集成电路、具有传感器或天线的第一衬底、以及具有天线的第二衬底,其中,薄膜集成电路被插入在具有传感器或天线的第一衬底与具有天线的第二衬底之间。在该半导体器件具有多个天线且该半导体器件在不同频带内通信的情况下,此半导体器件能够接收多个频带,从而扩展了读出器/写入器的选择范围。在该半导体器件具有传感器和天线的情况下,传感器所探测到的信息能够被转化成信号,且这些信号能够经由天线被输出到读出器/写入器。因此,与诸如无线芯片的常规半导体器件相比,该半导体器件具有更高价值。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 电器 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包含下列步骤:在第一衬底上选择性地形成释放层;在第一衬底上形成第一绝缘层,且释放层插入在其间;在第一绝缘层上形成多个薄膜晶体管;在第一绝缘层上形成第二绝缘层;在第一绝缘层和第二绝缘层中形成第一开口部分,以使第一衬底的一部分被暴露;在第二绝缘层中形成第二开口部分,以使该多个薄膜晶体管的至少源区和漏区之一被暴露;形成用来填充第一开口部分的第一导电层和用来填充第二开口部分的第二导电层;在第一绝缘层和第二绝缘层中形成第三开口部分,以暴露释放层的一部分;借助于将腐蚀剂引入到第三开口部分中而清除释放层;将该多个薄膜晶体管固定到第二衬底,从而使第二导电层被连接到提供在第二衬底上的第三导电层;从第一衬底分离该多个薄膜晶体管;以及将该多个薄膜晶体管固定到第三衬底,从而使第一导电层被连接到提供在第三衬底上的第四导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510106309.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造