[发明专利]薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200510106335.2 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1755905A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 传田敦 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在薄膜晶体管的制造方法中，能够在有阶差的部位上简便而确实地形成层叠膜或连接膜的方法。本发明的制造方法，其特征在于，包括：形成围堰的工序，所述围堰包括处于半导体层(84)上位于该半导体层(84)的大体中央部分的第一围堰部(31b)、和处于半导体层(84)的周边以包围该半导体层(84)的形式形成的薄膜部(32)和以包围该薄膜部(32)的形式形成的厚膜部(33)的第二围堰部(31a)；在包围薄膜部(32)和第一围堰部(31b)的区域内，以覆盖半导体层(84)的形式配置含有导电性材料的第一功能液(60)的工序；和将该的第一功能液干燥得到第一导电膜的干燥工序；然后除去薄膜部(32)，在该除去区域形成第二导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 所述干燥工序后，选择性地除去所述薄膜部的薄膜部除去工序； 第二配置工序，其对于除去了所述薄膜部的区域，以与所述第一导电 膜连接的形式配置含有导电材料的第二功能液；和 将已配置的第二功能液干燥而得到第二导电膜的干燥工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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