[发明专利]非易失性半导体存储器的制造方法

摘要

本发明的目的在于：提供一种不降低非易失性半导体存储器的制造效率，又能形成微细隧道氧化膜的方法。一种非易失性半导体存储器的制造方法，其中，该非易失性半导体存储器包括：硅衬底、在硅衬底上形成的栅氧化膜、夹持栅氧化膜与所述硅衬底对置配置的浮置栅电极、用于向在所述栅氧化膜的一部分上形成的所述浮置栅电极进行电子的写入及擦除的电子通过的隧道氧化膜，其特征在于，包括下述工序：准备在栅氧化膜的一部分上设定了隧道氧化膜形成区的硅衬底的工序；在硅衬底上形成氧化膜的工序；在氧化膜上，在隧道氧化膜形成区的内侧形成设置了开口部的抗蚀剂掩模的工序；以该抗蚀剂掩模作为掩模，通过各向异性干法刻蚀，使露出在开口部的氧化膜腐蚀成规定的残膜厚度的工序；以及使上述抗蚀剂掩模保持原样，通过湿法腐蚀使隧道氧化膜形成区的硅衬底露出并形成隧道窗口的工序。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器的制造方法，其中，该非易失性半导体存储器包括：硅衬底、在该硅衬底上形成的栅氧化膜、夹持该栅氧化膜与所述硅衬底对置配置的浮置栅电极、用于向在所述栅氧化膜的一部分上形成的所述浮置栅电极进行电子的写入及擦除的电子通过的隧道氧化膜，其特征在于，包括：准备在所述栅氧化膜的一部分上设定了隧道氧化膜形成区的硅衬底的工序；在该硅衬底上形成氧化膜的工序；在所述氧化膜上，形成在所述隧道氧化膜形成区的内侧设置了开口部的抗蚀剂掩模的工序；以所述抗蚀剂掩模作为掩模，通过各向异性的干法刻蚀将在所述开口部上露出的氧化膜腐蚀成规定的残膜厚度的工序；使所述抗蚀剂掩模原样保留，通过湿法腐蚀使所述隧道氧化膜形成区的硅衬底露出，并形成隧道窗口的工序。