[发明专利]包括多层隧道势垒的非易失存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510106838.X | 申请日： | 2005-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1761073A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 田尚勋;金桢雨;黄显相 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L27/112;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 多层 隧道 非易失 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件，所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极区和漏极区的栅极结构，其中，所述栅极结构包括所述多层隧道势垒层，所述多层隧道势垒层由具有不同带隙能量的至少两个层形成。
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