[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，在芯片尺寸封装型半导体装置的制造方法中，提高其可靠性。在半导体衬底(10)的表面介由第一绝缘膜(11)形成支承体(14)。然后，将半导体衬底(10)的一部分从该背面选择性地进行蚀刻而形成开口部(10w)后，在该背面形成第二绝缘膜(17)。然后，选择性地蚀刻开口部(10w)的底部的第一绝缘膜(11)及第二绝缘膜(16)，露出该开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)。然后，在从半导体衬底(10)的背面到位于开口部(10w)的侧壁和底部的边界的第二绝缘膜上，选择性地形成有第三抗蚀层(18)。之后，按照规定的图案，选择性地形成与开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)电连接，并在半导体衬底(10)的背面上延伸的配线层(19)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在由切割线区分、并介由第一绝缘膜沿着该切割线形成有焊盘电极的半导体衬底的表面上，介由树脂层粘接支承体的工序；从该背面选择性地进行蚀刻所述半导体衬底的一部分，形成沿着所述切割线的一部分开口的开口部的工序；在包括所述开口部内的所述半导体衬底的背面上形成第二绝缘膜的工序；将所述开口部的底部的所述第一及第二绝缘膜的一部分选择性地进行蚀刻而去除，并露出所述焊盘电极的一部分的工序；覆盖位于所述开口部的侧壁和底部的边界上的第二绝缘膜，在包括该开口部内的所述第二绝缘膜上选择性地形成第一保护层的工序；形成与在所述开口部的底部露出的焊盘电极的一部分电连接，并在所述半导体衬底的背面的所述第一保护层上及所述第二绝缘膜上延伸的配线层的工序。