[发明专利]半穿透半反射液晶显示面板的像素结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510106904.3 申请日: 2005-09-23
公开(公告)号: CN1740862A 公开(公告)日: 2006-03-01
发明(设计)人: 简良能 申请(专利权)人: 广辉电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1368;G02F1/1335
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 李树明
地址: 台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构,具有一反射区以及一穿透区,此半穿透半反射液晶显示面板的像素结构包括一透明基板、一薄膜晶体管、至少一反射结构、一像素电极以及一反射层,其中薄膜晶体管是配置于透明基板上,且薄膜晶体管位于反射区内。此外,反射结构是配置于透明基板上的薄膜晶体管的一侧,且位于反射区内,而像素电极是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方,并至少位于穿透区内,且像素电极是电性连接至薄膜晶体管。另外,反射层是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方,并位于反射区内,且反射层与像素电极相连接。
搜索关键词: 穿透 反射 液晶显示 面板 像素 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构,其特征在于:具有一反射区以及一穿透区,此半穿透半反射液晶显示面板的像素结构包括:一透明基板;一薄膜晶体管,配置于该透明基板上,且该薄膜晶体管位于该反射区内;至少一反射结构,配置于该透明基板上的该薄膜晶体管的一侧,且该反射结构位于该反射区内;一像素电极,配置于该薄膜晶体管及该反射结构上方,并至少位于该穿透区内,且该像素电极是电性连接至该薄膜晶体管;以及一反射层,配置于该薄膜晶体管及该反射结构上方,并位于该反射区内。
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