[发明专利]自对准金属硅化物工艺无效
| 申请号： | 200510106939.7 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1937177A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张毓蓝;谢朝景;江怡颖;陈意维;洪宗佑;李佳蓉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是揭露一种自对准金属硅化物(salicide)工艺。首先提供一表面包括至少一硅导电层的衬底。然后对该衬底进行一除水气(degas)步骤，并对该衬底进行一冷却步骤。接着沉积一金属层于该衬底表面，且该金属层与该硅导电层表面相接触。然后进行一热工艺，以使接触该金属层的该硅导电层表面形成一硅化金属层，最后去除未反应的该金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 金属硅 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种自对准金属硅化物工艺，包括下列步骤：提供一衬底，且该衬底表面包括至少一硅导电层；对该衬底进行一除水气步骤；对该衬底进行一冷却步骤；沉积一金属层于该衬底表面，且该金属层与该硅导电层表面相接触；进行一热工艺，以使接触该金属层的该硅导电层表面形成一硅化金属层；以及去除未反应的该金属层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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