[发明专利]半导体引线框及电镀方法,有半导体引线框的半导体封装无效

专利信息
申请号: 200510106953.7 申请日: 2005-09-29
公开(公告)号: CN1770440A 公开(公告)日: 2006-05-10
发明(设计)人: 崔祐硕;金重道;金银熙;李秀奉 申请(专利权)人: 三星TECHWIN株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李春晖
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本申请涉及半导体引线框及电镀方法,有半导体引线框的半导体封装。该方法包括:准备由Fe-Ni合金(42号合金)形成的基底,并在该基底上镀覆晶粒尺寸小于1微米的镀层。通过使Sn镀层的晶粒尺寸最小化,可以抑制当在Fe-Ni合金(42号合金)形成的基底上形成Sn镀层时晶须的生长。
搜索关键词: 半导体 引线 电镀 方法 封装
【主权项】:
1.一种半导体引线框,包括:Fe-Ni合金(42号合金)基底;以及镀在该基底上的晶粒尺寸小于1微米的层。
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