[发明专利]半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510106956.0 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1828906A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 大泽启佐 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及无须增加工序就可以制造出的一种不易在浮栅电极上形成尖锐形状的半导体存储器件。在对元件隔离沟槽(103)内淀积的绝缘材料(104)进行刻蚀时，使掩埋氧化膜(105)表面的高度低于元件形成区域(106)表面的高度。从而，在第1隧道膜(107)上形成浮栅电极用的多晶硅膜(108)时，使多晶硅膜(108)在掩埋氧化膜(105)上呈向下弯曲的形状。因此，不会在浮栅电极(109)的两端部分形成尖锐形状。通过形成无尖锐形状的浮栅电极，可以提高半导体存储器件的数据保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：通过在形成于半导体衬底表面的元件隔离沟槽内形成掩埋绝缘膜而形成的元件隔离区域；在所述半导体衬底的元件形成区域上形成的第1隧道膜；在所述第1隧道膜上直到其两侧的元件隔离区域的区域上形成的浮栅电极；在所述浮栅电极上形成的第2隧道膜；和在所述第2隧道膜上形成的控制栅电极，其特征在于，所述掩埋绝缘膜的表面高度低于所述元件形成区域的表面高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冲电气工业株式会社，未经冲电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510106956.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
