[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法无效
申请号: | 200510107022.9 | 申请日: | 2005-09-27 |
公开(公告)号: | CN1941379A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 魏鸿基;毕嘉慧 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/115;H01L21/8239;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种的非挥发性存储器的制造方法与结构。首先,于基底上形成多条升起式位线,此些升起式位线为平行排列,并往同一方向延伸。接着,于基底上形成一电荷陷入层。然后,再形成多条字线,且此些字线平行设置于升起式位线上,并填满该些升起式位线之间的间隙,此外,该些字线往另一方向延伸,而此方向与升起式位线的方向交错。此非挥发性存储器由于采用升起式位线的设计,因此可避免埋入式位线因热工艺造成的掺杂物热扩散问题。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种非挥发性存储器,包括:一基底;多条升起式位线,平行设置于该基底上,并往一第一方向延伸;多条字线,该些字线往一第二方向平行延伸并横跨于该些升起式位线之上,该第一方向与该第二方向交错;以及一电荷陷入层,设置于该些字线下方,并于该第二方向阻绝该些升起式位线的掺杂物扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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