[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510107031.8 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1755917A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 龟山工次郎;铃木彰 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/12;H01L23/48;H01L25/00;H01L25/065;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，本发明的目的是不用观察其剖面也能够确认形成在半导体衬底上的开口部的形成状态。本发明的半导体装置，从衬底背面形成开口部，使形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)露出，并通过该开口部在所述焊盘电极(3)上形成配线层(10)而构成，其特征在于，具有用于监视所述开口部的形成状态的监视开口部(6b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其从衬底背面形成开口部，使形成在半导体衬底上的金属层露出，并通过该开口部在所述金属层连接配线层而构成，其特征在于，具有用于监视所述开口部的形成状态的监视开口部。
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