[发明专利]绝缘栅型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510107043.0 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1770468A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 久保博稔;东条润一郎;斋藤洋明;恩田全人;岩田哲;柳田正道 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘栅型半导体装置，其包括：一导电型半导体衬底，其构成漏极区域；反向导电型沟道层，其设于该半导体衬底表面；槽，其贯通该沟道层并到达所述半导体衬底；第一半导体层，其埋入所述槽底部；绝缘膜，其设于所述槽内壁；第二半导体层，其埋入所述槽并位于所述第一半导体层上；一导电型源极区域，其邻接所述沟道层表面的所述槽而设置。
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