[发明专利]半导体器件、晶片及其设计和制造方法有效

专利信息
申请号: 200510107073.1 申请日: 2005-09-29
公开(公告)号: CN1770444A 公开(公告)日: 2006-05-10
发明(设计)人: 松原义久;小林弘昌 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L27/00;H01L21/768;H01L21/82
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 扩大互连的工艺裕度,以最小化在扫描型曝光设备的扫描移动期间产生的振动的影响。在半导体器件中,在包括最窄的互连或互连之间最窄的间隔的互连层中,以相同的取向布置处理大量的数据的互连,即经常使用的互连,使得互连的纵向对准扫描型曝光设备的扫描方向。因而,用图形的纵向对准振动方向能够最小化由振动引起的位置偏差。
搜索关键词: 半导体器件 晶片 及其 设计 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:位于半导体衬底上的多个芯片;经由绝缘层分别位于所述芯片上的多个互连层;其中在所述多个互连层中的包括最窄的互连或互连之间最窄的间隔的互连层中,经常使用的互连的纵向对准制作所述半导体器件所采用的曝光设备的晶片台的扫描方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510107073.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top