[发明专利]制作应变硅晶体管的方法有效
| 申请号： | 200510107198.4 | 申请日： | 2005-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1941297A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 吴至宁;戴炘;李忠儒;萧维沧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是揭露一种制作应变硅晶体管的方法，该方法包括下列步骤：首先提供一半导体衬底，且该半导体衬底上包括至少一栅极结构。然后进行一蚀刻工艺，以于该栅极结构相对两侧的该半导体衬底中形成二凹槽，并对该半导体衬底进行一氧气冲洗(O2 flush)。接着对该半导体衬底进行一清洗工艺，然后进行一选择性外延成长工艺，以于该些凹槽内分别形成一外延层，当作源极/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 应变 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作应变硅晶体管的方法，该方法包括下列步骤：提供一半导体衬底，且该半导体衬底上包括至少一栅极结构；进行一蚀刻工艺，以于该栅极结构相对两侧的该半导体衬底中形成二凹槽；对该半导体衬底进行一氧气冲洗；对该半导体衬底进行一清洗工艺；以及进行一选择性外延成长工艺，以于该些凹槽内分别形成一外延层，当作源极/漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510107198.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蓖麻秆碎料板的制作方法
- 下一篇：一种铜和铁的电阻焊方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
