[发明专利]光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 200510107561.2 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1755519A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 田边胜;川口厚;赤川裕之;河原明宏 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘志平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 掩模基板 曝光 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，其中：在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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