[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200510107637.1 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1767160A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 小仓尚 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装载的制造方法中，在形成LOCOS氧化膜后，使用LOCOS氧化膜的鸟嘴形成漏极扩散层，因此，存在漏极扩散层的位置精度差的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在外延层(4)上面堆积多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。构图为在形成LOCOS氧化膜(14)的区域残留多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。而且，将多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)的台阶作为对准标记使用，形成作为漏极区域的扩散层(11)。然后，形成LOCOS氧化膜(14)。通过该制造方法，可不受LOCOS氧化膜的形状影响，而高位置精度地形成扩散层(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体层表面形成绝缘层，并以在该半导体层上形成场氧化膜的区域设置开口部的方式选择性地除去所述绝缘层的工序；在所述半导体层表面堆积抗蚀剂后，将所述绝缘层的台阶作为对准标记使用，选择性地除去所述抗蚀剂，以所述抗蚀剂为掩模，形成漏极扩散层的工序；使用所述绝缘层，从所述半导体层表面形成所述场氧化膜，在除去所述绝缘层的一部分后，以至少其一端侧配置在所述场氧化膜上方的方式形成栅极电极的工序；以其一部分配置在所述栅极电极的另一端侧下方的方式形成反向栅扩散层，并从该反向栅扩散层表面形成源极扩散层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
