[发明专利]存储装置及半导体装置有效
| 申请号： | 200510107643.7 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1770319A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 八野英生;冈崎信道;大塚涉;对马朋人;相良敦;中岛智惠子;森宽伸;长尾一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C13/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，包括：存储器件，每个均具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加允许存储元件从高电阻值状态转移到低电阻值状态；不低于第二阈值信号的电信号的施加允许存储元件从低电阻值状态转移到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件的每个还具有电路元件，与存储元件串联以作为负载；其中，所述存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的一个端子与公共线连接；以及其中，在电源电势和接地电势之间的中间电势被施加到公共线。
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