[发明专利]基于ZnO/MgB2异质结的光探测器

摘要

本发明提供了一种基于ZnO/MgB₂异质结材料制作的探测器，包括：一基底，在基底上生长一层MgB₂膜，其特征在于，还包括一ZnO层，该ZnO层生长在MgB₂膜上；其中MgB₂膜厚度在10纳米～10微米；ZnO膜厚度在10纳米～10微米；第一电极设置在MgB₂膜上，第二电极设置在ZnO膜上，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上，并且在两个电极引线之间串联一电阻，两个电极引线的末端连接电压测试设备。该探测器在波长48nm－100μm光照射下可以获得6－25毫伏以上的直接光生伏特信号。

主权项

1.一种基于ZnO/MgB2异质结材料制作的探测器，包括：一基底，在基底上生长一层MgB2膜，其特征在于，还包括一ZnO层，该ZnO层生长在MgB2膜上；其中MgB2膜厚度在10纳米～10微米；ZnO膜厚度在10纳米～10微米；第一电极设置在MgB2膜上，第二电极设置在ZnO膜上，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上，并且在两个电极引线之间串联一电阻，两个电极输出端连接放大电路。