[发明专利]连续式热处理炉以及热处理方法无效
| 申请号： | 200510107892.6 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1758418A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 新井诚;梶浦靖博;近藤良夫 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/68;H01L31/18;F27B9/24;B65G49/07 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的连续式热处理炉是从炉的入口侧朝向出口侧依次设置有进行被热处理物的干燥以及/或者脱粘接剂处理的至少一个干燥·脱粘接剂区域，和进行被热处理物的烧结的烧结区域，在所述被热处理物一边在所述干燥·脱粘接剂区域被搬送一边进行干燥以及/或者脱粘接剂处理后，在所述烧结区域一边搬送一边烧结的热处理炉，所采用的结构为，作为用于搬送所述被热处理物的搬送机构，有沿所述被热处理物的搬送方向配置的至少2个搬送机构，在所述干燥·脱粘接剂区域和所述烧结区域，利用不同的所述搬送机构搬送所述被热处理物，同时，设定所述各搬送机构的搬送速度使得在所述干燥·脱粘接剂区域中的搬送速度和在所述烧结区域的搬送速度为不同的搬送速度。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 热处理 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种连续式热处理炉，从炉的入口侧朝向出口侧依次设有进行被热处理物的干燥以及/或者脱粘接剂处理的至少一个干燥·脱粘接剂区域，和进行被热处理物的烧结区域，所述被热处理物在所述干燥·脱粘接剂区域一边搬送一边进行干燥以及/或者脱粘接剂处理后，在所述烧结区域一边搬送一边进行烧结，其特征在于：采用的结构为，作为用于搬送所述被热处理物的搬送机构，具有沿着所述被热处理物的搬送方向配置的至少2个搬送机构，在所述干燥·脱粘接剂区域和所述烧结区域，利用不同的所述搬送机构搬送所述被热处理物，同时，设定所述各搬送机构的搬送速度使得在所述干燥·脱粘接剂区域的搬送速度和在所述烧结区域的搬送速度为不同的搬送速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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