[发明专利]电介质薄膜、薄膜电容元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510108020.1 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1755848A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 内田清志;堀野贤治;斋田仁 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/33;H01L29/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电介质薄膜，以组成式(Ba1－xSrx)yTiO3(0.18≤x≤0.45、0.96≤y≤1.04)表示，当X射线衍射图中的(100)面的衍射线峰值强度记为I(100)、(110)面的衍射线峰值强度记为I(110)时，其峰值强度比I(100)/I(110)为0.02～2.0。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 薄膜 电容 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质薄膜，其特征在于：以组成式(Ba1-xSrx)yTiO3(0.18≤x≤0.45、0.96≤y≤1.04)表示，当X射线衍射图中的(100)面的衍射线峰值强度记为I(100)、(110)面的衍射线峰值强度记为I(110)时，峰值强度比I(100)/I(110)为0.02～2.0。
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