[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管的制造方法，其先提供第一基板，且第一基板的正面已形成有多个凹陷图案。接着，提供第二基板。然后，在第二基板上形成非晶硅薄膜。继之，使第二基板上的非晶硅薄膜与第一基板的正面接触。接着，进行退火工艺，使非晶硅薄膜转变成多晶硅薄膜。之后，将第一基板以及第二基板分离。继之，图案化第二基板上的多晶硅薄膜以形成多晶硅岛状物。再来，形成栅绝缘层以覆盖多晶硅岛状物。继之，在栅绝缘层上形成栅极。之后，于栅极两侧的多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而源极/漏极之间即是通道区。此薄膜晶体管的制造方法可减少其制造步骤以及工艺时间。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括：提供第一基板，该第一基板的正面上已形成有多个凹陷图案；提供第二基板，并且于该第二基板上形成非晶硅薄膜；使该第二基板上的该非晶硅薄膜与该第一基板的该正面接触；进行退火工艺，使该非晶硅薄膜转变成多晶硅薄膜；将该第一基板自该第二基板上分离；图案化该第二基板上的该多晶硅薄膜以形成多晶硅岛状物；形成栅绝缘层以覆盖该多晶硅岛状物；在该栅绝缘层上形成栅极；以及于该栅极两侧的该多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而该源极/漏极之间即是通道区。