[发明专利]抛光剂及基片的抛光方法有效
| 申请号： | 200510108259.9 | 申请日： | 2002-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1746255A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 町井洋一;小山直之;西山雅也;吉田诚人 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.抛光剂，是含有粒子及将所说粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是：由氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物；和四价金属氢氧化物的至少一方。
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