[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200510108368.0 | 申请日: | 2005-10-13 |
公开(公告)号: | CN1790712A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 岸下景介 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 由第一电源布线、第二电源布线和用于网状电源布线的触点组成的网状电源布线,通过用于带状电源布线的触点,与在比形成网状电源布线的布线层更接近衬底的布线层上形成的带状电源布线相连接。在比形成带状电源布线的布线层更接近衬底的布线层上形成的单元电源布线,通过用于单元电源布线的触点,与带状电源布线相连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,具有衬底和多个布线层,所述多个布线层包括第一、第二、第三和第四布线层,所述半导体器件包括:多个第一电源布线,彼此平行地形成在所述第一布线层上;多个第二电源布线,以与所述第一电源布线成直角交叉的方向形成在所述第二布线层上,设置所述第二布线层比所述第一布线层更接近所述衬底;多个第三电源布线,形成在所述第三布线层上,设置所述第三布线层比所述第二布线层更接近所述衬底;多个第四电源布线,形成在所述第四布线层上,设置所述第四布线层比所述第三布线层更接近所述衬底;第一触点,在所述第一电源布线和所述第二电源布线彼此交叉的部分处,使所述第一电源布线之一与所述第二电源布线之一彼此连接;第二触点,使所述第三电源布线之一与所述第一电源布线和所述第二电源布线中的至少一个彼此连接;以及第三触点,使所述第三电源布线之一与所述第四电源布线之一彼此连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的