[发明专利]在层间介质互连中形成低电阻和可靠过孔的方法有效
| 申请号： | 200510108395.8 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1779946A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | C·小凯波勒;L·A·克莱文格尔;T·J·达尔顿;P·W·德黑文;C·T·迪兹奥布科沃斯基;方隼飞;T·A·斯普纳;T－L·L·泰;K·H·翁;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN层。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 互连 形成 电阻 可靠 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善清洗在层间介质(ILD)层中形成以露出下面的金属层的过孔开口的方法，所述方法包括以下步骤：蚀刻穿过所述ILD层，以形成露出所述下面的金属层的所述过孔开口；在所述过孔的底部离子注入氮，以在所述下面的金属层的表面聚积氮；以及沿所述蚀刻的过孔开口的底部和侧壁沉积薄耐熔金属衬里，其中所述清洗改善了包括所述金属衬里和所述金属层的形成接触的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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