[发明专利]压控振荡器有效
| 申请号： | 200510108449.0 | 申请日： | 2005-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1758530A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 立山雄一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03B5/32 | 分类号： | H03B5/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过反馈电阻(1)、放大器(2)和石英振动器(3)构成的振荡器电路具有负荷电阻。在源极和漏极端被短路的MOS晶体管(5、6)具有在源极－漏极端(source－drain terminal)和栅极端之间产生的、作为可变电容的电容。在石英振动器(3)的一个和其它端子以及交流地端子(AC ground terminal)之间配置了DC截断电容(8、9)和可变电容(MOS晶体管(5、6))的串联。例如，用于MOS晶体管(5、6)的门限电压控制信号通过高频去除电路(10、11)被输入到源极－漏极端。同时，向栅极端输入温度补偿控制信号和外部电压频率控制信号被叠加在一起的信号。这使得也可能按照期望来确定到温度补偿控制电路和外部电压频率控制电路的输出偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 压控振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种压控振荡器，包括：放大器，具有反相器和反馈电阻；压电振动器；和可变电容部件，由可变电容以及第一和第二DC截断电容形成，所述可变电容被提供作为在压电振动器的两端之间的负荷电容；其中，通过第一和第二MOS晶体管来配置可变电容；第一MOS晶体管在源极-漏极端被短路，第一和第二MOS晶体管的源极-漏极端和栅极端用于产生电容；具有相反相位的振荡电压被施加到所述源极-漏极端和栅极端，按照被输入到第一MOS晶体管的源极-漏极端的第一控制信号和被输入到第二MOS晶体管的栅极端的第二控制信号来控制振荡频率。
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