[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200510108572.2 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1949532A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 裴静伟;陈邦旭 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，特别涉及一种应用于晶体管栅极的界面层即高介电常数的半导体叠层结构及其制造方法。其利用HfO2上的Ti，以吸收界面层的氧原子，进而降低界面层的厚度，直至消失。而在Ti上生长TiO2将可帮助后续的HfO2生长。同时，TiO2的介电常数约为50，可大幅提高栅极介电层的等效介电常数。通过Ti可吸收氧，以降低Ti厚度，增加k值，并且降低EOT。此外，当热处理后，形成的TiO2同时可以增加k值。而在TiO2之中，漏电流将不会剧增。本发明将可以加速高介电常数的栅极电介质的应用，并对未来EOT的持续下降提供一个空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一介电层单元，其设置于该基板上，且该介电层单元至少包括相互堆叠的金属氧化层及金属层；以及一导电层，其设置于该介电层单元上。
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